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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | , |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.76 |
| Is Samacsys： | N | 配置： | Single |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 5 A | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 83 W |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BUZ90 | INFINEON |
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SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Avalanche-rated) |
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| BUZ900 | NJSEMI |
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Trans MOSFET N-CH 160V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-3 |
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| BUZ900CDP | ETC |
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TRANSISTOR AUDIO NF LEISTUNGS MOSFET |
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| BUZ900D | ETC |
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TRANSISTOR AUDIO NF LEISTUNGS MOSFET |
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| BUZ900DP | ETC |
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N-CHANNEL POWER MOSFET |
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| BUZ900P | SEME-LAB |
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NâCHANNEL POWER MOSFET |
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| BUZ900X4S | ETC |
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NEW PRODUCT UNDER DEVELOPMENT |
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| BUZ901 | ETC |
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N-CHANNEL POWER MOSFET |
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| BUZ901CDP | ETC |
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TRANSISTOR AUDIO NF LEISTUNGS MOSFET |
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| BUZ901D | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR AUDIO NF LEISTUNGS MOSFET |
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