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BUZ905DP

更新时间： 2024-01-09 14:06:10

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描述
P-CHANNEL POWER MOSFET FOR AUDIO APPLICATIONS

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BUZ905DP 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	8.41	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE	最小漏源击穿电压：	160 V
最大漏极电流 (ID)：	8 A	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-247	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	P-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

BUZ905DP 数据手册

BUZ905DP

BUZ906DP

MAGNA

TEC

MECHANICAL DATA

Dimensions in mm

P–CHANNEL

POWER MOSFET

20.0

5.0

3.3 Dia.

POWER MOSFETS FOR

AUDIO APPLICATIONS

FEATURES

• HIGH SPEED SWITCHING

• P–CHANNEL POWER MOSFET

• SEMEFAB DESIGNED AND DIFFUSED

• HIGH VOLTAGE (160V & 200V)

• HIGH ENERGY RATING

2.0

3.4

1.0

2.0

0.6

2.8

1.2

• ENHANCEMENT MODE

• INTEGRAL PROTECTION DIODE

5.45 5.45

• N–CHANNEL ALSO AVAILABLE AS

BUZ900DP & BUZ901DP

TO–3PBL

Pin 1 – Gate

Pin 2 – Source

Case is Source

Pin 3 – Drain

• DOUBLE DIE PACKAGE FOR MAXIMUM

POWER AND HEATSINK SPACE

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

= 25°C unless otherwise stated)

BUZ905DP

BUZ906DP

case

Drain – Source Voltage

-160V

-200V

DSX

Gate – Source Voltage

Continuous Drain Current

Body Drain Diode

±14V

GSS

-16A

D(PK)

Total Power Dissipation

Storage Temperature Range

@ T

= 25°C

250W

stg

case

–55 to 150°C

150°C

Maximum Operating Junction Temperature

Thermal Resistance Junction – Case

0.5°C/W

θJC

Prelim. 2/95

Magnatec. Telephone (01455) 554711. Telex: 341927. Fax (01455) 552612.

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