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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Transferred |
| 零件包装代码： | SFM | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.28 | Is Samacsys： | N |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 220 mJ | 配置： | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压： | 600 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 3.3 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 3.2 A | 最大漏源导通电阻： | 3 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 最大反馈电容 (Crss)： | 40 pF |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 功耗环境最大值： | 75 W |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 80 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 13 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 最大关闭时间（toff）： | 150 ns | 最大开启时间（吨）： | 85 ns |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BUZ92-E3044 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 3.3A I(D), 600V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| BUZ92-E3045 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 3.3A I(D), 600V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
|
| BUZ92-E3046 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 3.3A I(D), 600V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| BUZ93 | INFINEON |
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SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Avalanche-rated) |
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| BUZ93-E3044 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 3.6A I(D), 600V, 2.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| BUZ93-E3045 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 3.6A I(D), 600V, 2.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| BUZ93-E3046 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 3.6A I(D), 600V, 2.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| BUZ94 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 7.8A I(D) | TO-204AA |
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| BUZZ1 | RENESAS |
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Sample Program (Musical Scale) |
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| BV0005A | KEYSIGHT |
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BenchVue Software v3.5 |
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