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BUZ93-E3045

更新时间: 2024-02-12 17:26:25
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英飞凌 - INFINEON 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 188K
描述
Power Field-Effect Transistor, 3.6A I(D), 600V, 2.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, 3 PIN

BUZ93-E3045 技术参数

生命周期:Transferred零件包装代码:TO-220AB
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2针数:3
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.29
雪崩能效等级(Eas):220 mJ配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:600 V最大漏极电流 (ID):3.6 A
最大漏源导通电阻:2.5 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss):40 pFJESD-30 代码:R-PSSO-G2
元件数量:1端子数量:2
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE极性/信道类型:N-CHANNEL
功耗环境最大值:80 W最大脉冲漏极电流 (IDM):14.5 A
认证状态:Not Qualified表面贴装:YES
端子形式:GULL WING端子位置:SINGLE
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
最大关闭时间(toff):150 ns最大开启时间(吨):85 ns
Base Number Matches:1

BUZ93-E3045 数据手册

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