5秒后页面跳转
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-220AB |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.29 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 220 mJ | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 600 V | 最大漏极电流 (ID)： | 3.6 A |
| 最大漏源导通电阻： | 2.5 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 14.5 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BUZ93-E3045 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 3.6A I(D), 600V, 2.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| BUZ93-E3046 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 3.6A I(D), 600V, 2.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| BUZ94 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 7.8A I(D) | TO-204AA |
|
| BUZZ1 | RENESAS |
获取价格 |
Sample Program (Musical Scale) |
|
| BV0005A | KEYSIGHT |
获取价格 |
BenchVue Software v3.5 |
|
| BV0006A | KEYSIGHT |
获取价格 |
Data capture simplified. Click. Capture. Done. |
|
| BV0008A | KEYSIGHT |
获取价格 |
BenchVue Software v3.5 |
|
| BV0010A | KEYSIGHT |
获取价格 |
BenchVue Software v3.5 |
|
| BV0011A | KEYSIGHT |
获取价格 |
BenchVue Software v3.5 |
|
| BV014D0104JDC | KYOCERA AVX |
获取价格 |
CAPACITOR, METALLIZED FILM, POLYESTER, 63V, 0.1uF, THROUGH HOLE MOUNT, RADIAL LEADED |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
