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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BUZ92-E3046 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 3.3A I(D), 600V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| BUZ93 | INFINEON |
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SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Avalanche-rated) |
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| BUZ93-E3044 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 3.6A I(D), 600V, 2.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| BUZ93-E3045 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 3.6A I(D), 600V, 2.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| BUZ93-E3046 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 3.6A I(D), 600V, 2.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| BUZ94 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 7.8A I(D) | TO-204AA |
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| BUZZ1 | RENESAS |
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Sample Program (Musical Scale) |
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| BV0005A | KEYSIGHT |
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BenchVue Software v3.5 |
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| BV0006A | KEYSIGHT |
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Data capture simplified. Click. Capture. Done. |
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| BV0008A | KEYSIGHT |
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BenchVue Software v3.5 |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
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