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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-220AB |
| 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.46 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 320 mJ | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 600 V | 最大漏极电流 (ID)： | 4 A |
| 最大漏源导通电阻： | 2 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 16 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BUZ90-E3044 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 600V, 1.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| BUZ90-E3045 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 600V, 1.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| BUZ90-E3046 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 600V, 1.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| BUZ91 | INFINEON |
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SIPMOS Power Transistor(N Channel) |
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| BUZ91A | INFINEON |
获取价格 |
SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Avalanche-rated) |
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| BUZ91A-E3044 | INFINEON |
获取价格 |
暂无描述 |
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| BUZ91A-E3045 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 600V, 0.9ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| BUZ91A-E3046 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 600V, 0.9ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| BUZ91-E3044 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 8.5A I(D), 600V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| BUZ91-E3045 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 8.5A I(D), 600V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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