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BUZ91

更新时间： 2024-11-22 22:16:55

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英飞凌 - INFINEON		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
9页	124K
描述
SIPMOS Power Transistor(N Channel)

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BUZ91 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.72	配置：	Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	8.5 A	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码：	e0	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	150 W	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches：	1

BUZ91 数据手册

BUZ 91

Not for new design

SIPMOS Power Transistor

• N channel

• Enhancement mode

• Avalanche-rated

Pin 1

Pin 2

Pin 3

Type

)

DS(on

Package

Ordering Code

BUZ 91

600 V

8.5 A

0.8 Ω

TO-220 AB

C67078-S1342-A2

Maximum Ratings

Parameter

Symbol

Values

Unit

Continuous drain current

T = 32 °C

8.5

Pulsed drain current

Dpuls

T = 25 °C

Avalanche current,limited by T

jmax

Avalanche energy,periodic limited by T

Avalanche energy, single pulse

jmax

I = 8 A, V = 50 V, R = 25 Ω

L = 16.3 mH, T = 25 °C

570

Gate source voltage

Power dissipation

tot

T = 25 °C

150

Operating temperature

-55 ... + 150 °C

-55 ... + 150

Storage temperature

stg

Thermal resistance, chip case

Thermal resistance, chip to ambient

DIN humidity category, DIN 40 040

IEC climatic category, DIN IEC 68-1

≤ 0.83

K/W

thJC

thJA

55 / 150 / 56

Semiconductor Group

07/96

12 3 4 5 6 7...9

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