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BUZ903P

更新时间： 2024-01-25 22:14:45

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2页	28K
描述
N CHANNEL POWER MOSFET

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BUZ903P 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.84	外壳连接：	SOURCE
配置：	SINGLE	最小漏源击穿电压：	250 V
最大漏极电流 (ID)：	8 A	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-247	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	8 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON

BUZ903P 数据手册

BUZ902P

BUZ903P

MAGNA

TEC

MECHANICAL DATA

Dimensions in mm

N–CHANNEL

POWER MOSFET

4.69 (0.185)

5.31 (0.209)

1.49 (0.059)

2.49 (0.098)

15.49 (0.610)

16.26 (0.640)

POWER MOSFETS FOR

AUDIO APPLICATIONS

3.55 (0.140)

3.81 (0.150)

FEATURES

• HIGH SPEED SWITCHING

1.65 (0.065)

2.13 (0.084)

0.40 (0.016)

0.79 (0.031)

• SEMEFAB DESIGNED AND DIFFUSED

• HIGH VOLTAGE (220V & 250V)

• HIGH ENERGY RATING

2.87 (0.113)

3.12 (0.123)

1.01 (0.040)

1.40 (0.055)

• ENHANCEMENT MODE

2.21 (0.087)

2.59 (0.102)

• INTEGRAL PROTECTION DIODES

5.25 (0.215)

BSC

• COMPLIMENTARY P–CHANNEL

BUZ907P & BUZ908P

TO-247

Pin 1 – Gate

Pin 2 – Source

Case – Source

Pin 3 – Drain

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

= 25°C unless otherwise stated)

BUZ902P

BUZ903P

case

Drain – Source Voltage

220V

250V

DSX

Gate – Source Voltage

Continuous Drain Current

Body Drain Diode

±14V

GSS

D(PK)

Total Power Dissipation

Storage Temperature Range

@ T

= 25°C

125W

stg

case

–55 to 150°C

150°C

Maximum Operating Junction Temperature

Thermal Resistance Junction – Case

1°C/W

θJC

Prelim. 01/97

Magnatec. Telephone (01455) 554711. Fax (01455) 558843

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