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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | , | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.84 | 配置： | Single |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 3.4 A | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-609代码： | e0 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 78 W | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BUZ84 | NJSEMI |
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Trans MOSFET N-CH 800V 3.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 |
|
| BUZ84A | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 6A I(D) | TO-204AA |
|
| BUZ88 | INFINEON |
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main ratings |
|
| BUZ88A | INFINEON |
获取价格 |
main ratings |
|
| BUZ90 | INFINEON |
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SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Avalanche-rated) |
|
| BUZ900 | NJSEMI |
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Trans MOSFET N-CH 160V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-3 |
|
| BUZ900CDP | ETC |
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TRANSISTOR AUDIO NF LEISTUNGS MOSFET |
|
| BUZ900D | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR AUDIO NF LEISTUNGS MOSFET |
|
| BUZ900DP | ETC |
获取价格 |
N-CHANNEL POWER MOSFET |
|
| BUZ900P | SEME-LAB |
获取价格 |
NâCHANNEL POWER MOSFET |
|
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