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BUZ80-E3045

更新时间: 2024-11-23 15:28:55
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英飞凌 - INFINEON 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 185K
描述
Power Field-Effect Transistor, 2.6A I(D), 800V, 4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, 3 PIN

BUZ80-E3045 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:TO-220AB
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2针数:3
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.26
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:800 V
最大漏极电流 (ID):2.6 A最大漏源导通电阻:4 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码:R-PSSO-G2
JESD-609代码:e3元件数量:1
端子数量:2工作模式:ENHANCEMENT MODE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE极性/信道类型:N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM):10 A认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES端子面层:MATTE TIN
端子形式:GULL WING端子位置:SINGLE
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

BUZ80-E3045 数据手册

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