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BUZ80FI

更新时间： 2024-11-25 22:34:35
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
10页 202K
描述
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR

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BUZ80FI 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-220AB包装说明：ISOWATT220, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.61雪崩能效等级（Eas）：180 mJ
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：800 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：2.1 A
最大漏极电流 (ID)：2.1 A最大漏源导通电阻：4 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR最大反馈电容 (Crss)：40 pF
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
功耗环境最大值：40 W最大功率耗散 (Abs)：40 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：13 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
最大开启时间（吨）：160 nsBase Number Matches：1

BUZ80FI 数据手册

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BUZ80  
BUZ80FI  
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE  
POWER MOS TRANSISTOR  
TYPE  
BUZ80  
BUZ80FI  
VDSS  
RDS(on)  
ID  
800 V  
800 V  
< 4 Ω  
< 4 Ω  
3.4 A  
2.1 A  
■
■
■
■
■
■
■
TYPICAL RDS(on) = 3.3 Ω  
AVALANCHE RUGGEDNESS TECHNOLOGY  
100% AVALANCHE TESTED  
REPETITIVE AVALANCHE DATA AT 100oC  
LOW INPUT CAPACITANCE  
LOW GATE CHARGE  
3
3
2
2
1
1
APPLICATION ORIENTED  
CHARACTERIZATION  
TO-220  
ISOWATT220  
APPLICATIONS  
■
■
■
■
HIGH CURRENT, HIGH SPEED SWITCHING  
SWITCH MODE POWER SUPPLIES (SMPS)  
CONSUMER AND INDUSTRIAL LIGHTING  
DC-AC INVERTERS FOR WELDING  
EQUIPMENT AND UNINTERRUPTIBLE  
POWER SUPPLY (UPS)  
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
Parameter  
Value  
Unit  
BUZ80  
BUZ80FI  
VDS  
VDG R  
VGS  
ID  
Drain-source Voltage (VGS = 0)  
Drain- gate Voltage (RGS = 20 kΩ)  
Gate-source Voltage  
Drain Current (continuous) at Tc = 25 oC  
Drain Current (continuous) at Tc = 100 oC  
Drain Current (pulsed)  
800  
800  
± 20  
V
V
V
3.4  
2.1  
13  
2.1  
1.3  
A
ID  
A
IDM(•)  
Ptot  
13  
A
Total Dissipation at Tc = 25 oC  
100  
0.8  
40  
W
W/oC  
V
oC  
oC  
Derating Factor  
0.32  
2000  
VISO  
Tstg  
Tj  
Insulation Withstand Voltage (DC)  
Storage Temperature  
-65 to 150  
150  
Max. Operating Junction Temperature  
(•) Pulse width limited by safe operating area  
1/10  
November 1996  
1234567...10

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BUZ80FI 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
STP3NA80FI STMICROELECTRONICS

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 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR

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