IRFBE20PBF

更新时间： 2024-11-26 05:39:27

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数	文件大小	规格书
8页	1000K
描述
Power MOSFET

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册
替代型号

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IRFBE20PBF 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	ROHS COMPLIANT PACKAGE-3	针数：	3
Reach Compliance Code：	not_compliant	Factory Lead Time：	6 weeks
风险等级：	0.64	Is Samacsys：	N
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	180 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	800 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	1.8 A
最大漏极电流 (ID)：	1.8 A	最大漏源导通电阻：	6.5 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	54 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	7.2 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IRFBE20PBF 数据手册

IRFBE20, SiHFBE20

Vishay Siliconix

Power MOSFET

FEATURES

• Dynamic dV/dt Rating

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

800

Available

• Repetitive Avalanche Rated

_DS(on)(Ω)

V_GS= 10 V

6.5

RoHS*

• Fast Switching

Q_g(Max.) (nC)

5.0

COMPLIANT

• Ease of Paralleling

_gs(nC)

_gd(nC)

• Simple Drive Requirements

• Lead (Pb)-free Available

Configuration

Single

DESCRIPTION

TO-220

Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the

designer with the best combination of fast switching,

ruggedized device design, low on-resistance and

cost-effectiveness.

The TO-220 package is universally preferred for all

commercial-industrial applications at power dissipation

levels to approximately 50 W. The low thermal resistance

and low package cost of the TO-220 contribute to its wide

acceptance throughout the industry.

N-Channel MOSFET

ORDERING INFORMATION

Package

TO-220

IRFBE20PbF

SiHFBE20-E3

IRFBE20

Lead (Pb)-free

SnPb

SiHFBE20

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T_C= 25 °C, unless otherwise noted

PARAMETER

SYMBOL

LIMIT

800

UNIT

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_DS

V_GS

T_C= 25 °C

T_C=100°C

1.8

Continuous Drain Current

_GSat 10 V

I_D

1.2

Pulsed Drain Current^a

I_DM

7.2

Linear Derating Factor

0.43

180

W/°C

Single Pulse Avalanche Energy^b

Repetitive Avalanche Current^a

Repetitive Avalanche Energy^a

E_AS

I_AR

1.8

E_AR

5.4

Maximum Power Dissipation

T_C= 25 °C

P_D

Peak Diode Recovery dV/dt^c

dV/dt

T_J, T_stg

2.0

V/ns

Operating Junction and Storage Temperature Range

Soldering Recommendations (Peak Temperature)

- 55 to + 150

300^d

°C

for 10 s

lbf · in

N · m

Mounting Torque

6-32 or M3 screw

1.1

Notes

a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).

b. V_DD= 50 V, starting T_J= 25 °C, L = 104 mH, R_G= 25 Ω, I_AS= 1.8 A (see fig. 12).

c. I_SD≤ 1.8 A, dI/dt ≤ 80 A/µs, V_DD≤ 600, T_J≤ 150 °C.

d. 1.6 mm from case.

* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply

Document Number: 91117

S-81262-Rev. A, 07-Jul-08

www.vishay.com

12 3 4 5 6 7 8

中文翻译

下载PDF

IRFBE20PBF 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
STP3NK80Z	STMICROELECTRONICS	功能相似	N-CHANNEL 800V - 3.8W - 2.5A TO-220/FP/DPAK/I

与IRFBE20PBF相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRFBE22	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 1.6A I(D), 800V, 7.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRFBE22-006PBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 1.6A I(D), 800V, 7.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRFBE22-009	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 1.6A I(D), 800V, 7.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRFBE30	INFINEON	获取价格	Power MOSFET(Vdss=800V, Rds(on)=3.0ohm, Id=4.1A)
IRFBE30	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFBE30	KERSEMI	获取价格	Dynamic dV/dt Rating Repetitive Avalanche Rated
IRFBE30L	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFBE30L	INFINEON	获取价格	HEXFET㈢ Power MOSFET
IRFBE30LPBF	INFINEON	获取价格	HEXFET Power MOSFET
IRFBE30LPBF	VISHAY	获取价格	Power MOSFET

与IRFBE20PBF相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

45
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

34
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

62
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

59

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IRFBE20PBF

IRFBE20PBF 技术参数

IRFBE20PBF 数据手册

IRFBE20PBF 替代型号

与IRFBE20PBF相关器件

与IRFBE20PBF相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IRFBE20PBF

IRFBE20PBF 技术参数

IRFBE20PBF 数据手册

IRFBE20PBF 替代型号

与IRFBE20PBF相关器件

与IRFBE20PBF相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？