IRFBE20PBF

更新时间： 2024-11-02 05:39:27

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威世 - VISHAY		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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8页	1000K
描述
Power MOSFET

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IRFBE20PBF 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	ROHS COMPLIANT PACKAGE-3	针数：	3
Reach Compliance Code：	not_compliant	Factory Lead Time：	6 weeks
风险等级：	0.64	Is Samacsys：	N
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	180 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	800 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	1.8 A
最大漏极电流 (ID)：	1.8 A	最大漏源导通电阻：	6.5 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	54 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	7.2 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IRFBE20PBF 数据手册

IRFBE20, SiHFBE20

Vishay Siliconix

Power MOSFET

FEATURES

• Dynamic dV/dt Rating

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

800

Available

• Repetitive Avalanche Rated

_DS(on)(Ω)

V_GS= 10 V

6.5

RoHS*

• Fast Switching

Q_g(Max.) (nC)

5.0

COMPLIANT

• Ease of Paralleling

_gs(nC)

_gd(nC)

• Simple Drive Requirements

• Lead (Pb)-free Available

Configuration

Single

DESCRIPTION

TO-220

Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the

designer with the best combination of fast switching,

ruggedized device design, low on-resistance and

cost-effectiveness.

The TO-220 package is universally preferred for all

commercial-industrial applications at power dissipation

levels to approximately 50 W. The low thermal resistance

and low package cost of the TO-220 contribute to its wide

acceptance throughout the industry.

N-Channel MOSFET

ORDERING INFORMATION

Package

TO-220

IRFBE20PbF

SiHFBE20-E3

IRFBE20

Lead (Pb)-free

SnPb

SiHFBE20

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T_C= 25 °C, unless otherwise noted

PARAMETER

SYMBOL

LIMIT

800

UNIT

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_DS

V_GS

T_C= 25 °C

T_C=100°C

1.8

Continuous Drain Current

_GSat 10 V

I_D

1.2

Pulsed Drain Current^a

I_DM

7.2

Linear Derating Factor

0.43

180

W/°C

Single Pulse Avalanche Energy^b

Repetitive Avalanche Current^a

Repetitive Avalanche Energy^a

E_AS

I_AR

1.8

E_AR

5.4

Maximum Power Dissipation

T_C= 25 °C

P_D

Peak Diode Recovery dV/dt^c

dV/dt

T_J, T_stg

2.0

V/ns

Operating Junction and Storage Temperature Range

Soldering Recommendations (Peak Temperature)

- 55 to + 150

300^d

°C

for 10 s

lbf · in

N · m

Mounting Torque

6-32 or M3 screw

1.1

Notes

a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).

b. V_DD= 50 V, starting T_J= 25 °C, L = 104 mH, R_G= 25 Ω, I_AS= 1.8 A (see fig. 12).

c. I_SD≤ 1.8 A, dI/dt ≤ 80 A/µs, V_DD≤ 600, T_J≤ 150 °C.

d. 1.6 mm from case.

* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply

Document Number: 91117

S-81262-Rev. A, 07-Jul-08

www.vishay.com

12 3 4 5 6 7 8

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IRFBE20PBF 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
STP3NK80Z	STMICROELECTRONICS	功能相似	N-CHANNEL 800V - 3.8W - 2.5A TO-220/FP/DPAK/I

与IRFBE20PBF相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRFBE22	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 1.6A I(D), 800V, 7.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRFBE22-006PBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 1.6A I(D), 800V, 7.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRFBE22-009	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 1.6A I(D), 800V, 7.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRFBE30	INFINEON	获取价格	Power MOSFET(Vdss=800V, Rds(on)=3.0ohm, Id=4.1A)
IRFBE30	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFBE30	KERSEMI	获取价格	Dynamic dV/dt Rating Repetitive Avalanche Rated
IRFBE30L	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFBE30L	INFINEON	获取价格	HEXFET㈢ Power MOSFET
IRFBE30LPBF	INFINEON	获取价格	HEXFET Power MOSFET
IRFBE30LPBF	VISHAY	获取价格	Power MOSFET

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