IRFBE30PBF

更新时间： 2024-11-23 05:39:27

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威世 - VISHAY		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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描述
Power MOSFET

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IRFBE30PBF 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	LEAD FREE PACKAGE-3	针数：	3
Reach Compliance Code：	not_compliant	Factory Lead Time：	6 weeks
风险等级：	0.7	Is Samacsys：	N
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	260 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	800 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	4.1 A
最大漏极电流 (ID)：	4.1 A	最大漏源导通电阻：	3 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT APPLICABLE
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	125 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	16 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Powers	表面贴装：	NO
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT APPLICABLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IRFBE30PBF 数据手册

IRFBE30, SiHFBE30

Vishay Siliconix

Power MOSFET

FEATURES

• Dynamic dV/dt Rating

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

800

Available

• Repetitive Avalanche Rated

_DS(on)(Ω)

V_GS= 10 V

3.0

RoHS*

• Fast Switching

Q_g(Max.) (nC)

9.6

COMPLIANT

• Ease of Paralleling

_gs(nC)

_gd(nC)

• Simple Drive Requirements

• Lead (Pb)-free Available

Configuration

Single

DESCRIPTION

TO-220

Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the

designer with the best combination of fast switching,

ruggedized device design, low on-resistance and

cost-effectiveness.

The TO-220 package is universally preferred for all

commercial-industrial applications at power dissipation

levels to approximately 50 W. The low thermal resistance

and low package cost of the TO-220 contribute to its wide

acceptance throughout the industry.

N-Channel MOSFET

ORDERING INFORMATION

Package

TO-220

IRFBE30PbF

SiHFBE30-E3

IRFBE30

Lead (Pb)-free

SnPb

SiHFBE30

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T_C= 25 °C, unless otherwise noted

PARAMETER

SYMBOL

LIMIT

UNIT

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_DS

800

V_GS

T_C= 25 °C

T_C=100°C

4.1

Continuous Drain Current

_GSat 10 V

I_D

2.6

Pulsed Drain Current^a

I_DM

Linear Derating Factor

1.0

W/°C

Single Pulse Avalanche Energy^b

Repetitive Avalanche Current^a

Repetitive Avalanche Energy^a

E_AS

I_AR

260

4.1

E_AR

Maximum Power Dissipation

Peak Diode Recovery dV/dt^c

T_C= 25 °C

P_D

125

2.0

dV/dt

T_J, T_stg

V/ns

Operating Junction and Storage Temperature Range

Soldering Recommendations (Peak Temperature)

- 55 to + 150

300^d

°C

for 10 s

lbf · in

N · m

Mounting Torque

6-32 or M3 screw

1.1

Notes

a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).

b. V_DD= 50 V, starting T_J= 25 °C, L = 29 mH, R_G= 25 Ω, I_AS= 4.1 A (see fig. 12).

c. I_SD≤ 4.1 A, dI/dt ≤ 100 A/µs, V_DD≤ 600, T_J≤ 150 °C.

d. 1.6 mm from case.

* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply

Document Number: 91118

S-81262-Rev. A, 07-Jul-08

www.vishay.com

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IRFBE30PBF 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IRFBE30	VISHAY	完全替代	Power MOSFET
BUZ81	INFINEON	功能相似	SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Avalanche-rated)
BUK456-800A	NXP	功能相似	PowerMOS transistor

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IRFBE30S	INFINEON	获取价格	HEXFET㈢ Power MOSFET
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IRFBE30S_V01	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFBE30SPBF	INFINEON	获取价格	HEXFET Power MOSFET
IRFBE30SPBF	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFBE30STRLPBF	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFBE30STRLPBFA	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFBE30STRR	VISHAY	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 4.1A I(D), 800V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
IRFBE30STRRPBF	VISHAY	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 4.1A I(D), 800V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal

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