IRFBE30S

更新时间： 2024-11-23 05:39:31

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威世 - VISHAY		晶体晶体管开关脉冲局域网
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8页	1204K
描述
Power MOSFET

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IRFBE30S 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.04
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	260 mJ
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	800 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	4.1 A	最大漏极电流 (ID)：	4.1 A
最大漏源导通电阻：	3 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	125 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	16 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IRFBE30S 数据手册

IRFBE30S, IRFBE30L, SiHFBE30S, SiHFBE30L

Vishay Siliconix

Power MOSFET

FEATURES

• Dynamic dV/dt Rating

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

800

Available

• Repetitive Avalanche Rated

• Fast Switching

_DS(on)(Ω)

V_GS= 10 V

3.0

RoHS*

Q_g(Max.) (nC)

9.6

COMPLIANT

_gs(nC)

_gd(nC)

• Ease of Paralleling

• Simple Drive Requirements

• Lead (Pb)-free Available

Configuration

Single

D²PAK

I²PAK

(TO-263)

(TO-262)

DESCRIPTION

Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the

designer with the best combination of fast switching,

ruggedized device design, low on-resistance and

cost-effectiveness.

N-Channel MOSFET

ORDERING INFORMATION

Package

D²PAK (TO-263)

I²PAK (TO-262)

IRFBE30SPbF

IRFBE30STRLPbF^a

SiHFBE30STL-E3^a

IRFBE30LPbF

Lead (Pb)-free

SiHFBE30S-E3

IRFBE30S

SiHFBE30L-E3

SnPb

SiHFBE30S

Note

a. See device orientation.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T_C= 25 °C, unless otherwise noted

PARAMETER

SYMBOL

LIMIT

UNIT

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_DS

800

V_GS

_C= 25 °C

4.1

Continuous Drain Current

V_GSat 10 V

I_D

T_C=100°C

2.6

Pulsed Drain Current^a

I_DM

Linear Derating Factor

1.0

W/°C

Single Pulse Avalanche Energy^b

Avalanche Current^a

E_AS

I_AR

260

4.1

Repetitive Avalanche Energy^a

E_AR

Maximum Power Dissipation

Peak Diode Recovery dV/dt^c

_C= 25 °C

P_D

125

2.0

dV/dt

T_J, T_stg

V/ns

Operating Junction and Storage Temperature Range

Soldering Recommendations (Peak Temperature)

- 55 to + 150

300^d

°C

for 10 s

6-32 or M3 screw

lbf · in

N · m

Mounting Torque

1.1

Notes

a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).

b. V_DD= 50 V, starting T_J= 25 °C, L = 29 mH, R_G= 25 Ω, I_AS= 4.1 A (see fig. 12).

c. I_SD≤ 4.1 A, dI/dt ≤ 100 A/µs, V_DD≤ 600 V, T_J≤ 150 °C.

d. 1.6 mm from case.

* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply

Document Number: 91119

S-81432-Rev. A, 07-Jul-08

www.vishay.com

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型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IRFBE30SPBF	VISHAY	类似代替	Power MOSFET
IRFBE30STRLPBF	VISHAY	功能相似	Power MOSFET

与IRFBE30S相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRFBE30S, SiHFBE30S, IRFBE30L, SiHFBE30L	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFBE30S_V01	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFBE30SPBF	INFINEON	获取价格	HEXFET Power MOSFET
IRFBE30SPBF	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFBE30STRLPBF	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFBE30STRLPBFA	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFBE30STRR	VISHAY	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 4.1A I(D), 800V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
IRFBE30STRRPBF	VISHAY	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 4.1A I(D), 800V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
IRFBE32	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 800V V(BR)DSS \| 3.2A I(D) \| TO-220AB
IRFBF20	INFINEON	获取价格	Power MOSFET(Vdss=900V, Rds(on)=8.0ohm, Id=1.7A)

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