IRFBF20STRL

更新时间： 2024-11-26 05:39:27

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威世 - VISHAY		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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Power MOSFET

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IRFBF20STRL 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	5.03	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	180 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	900 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	1.7 A	最大漏极电流 (ID)：	1.7 A
最大漏源导通电阻：	8 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	54 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	6.8 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IRFBF20STRL 数据手册

IRFBF20S, IRFBF20L, SiHFBF20S, SiHFBF20L

Vishay Siliconix

Power MOSFET

FEATURES

• Surface Mount (IRFBF20S/SiHFBF20S)

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

900

Available

• Low-Profile Through-Hole (IRFBF20L/SiHFBF20L)

R_DS(on)(Ω)

V_GS= 10 V

8.0

RoHS*

Reel

COMPLIANT

• Available

Tape

and

Q_g(Max.) (nC)

4.7

(IRFBF20S/SiHFBF20S)

• Dynamic dV/dt Rating

• 150 °C Operating Temperature

• Fast Switching

_gs(nC)

_gd(nC)

Configuration

Single

• Fully Avalanche Rated

• Lead (Pb)-free Available

D²PAK (TO-263)

I²PAK (TO-262)

DESCRIPTION

Third generation Power MOSFETs form Vishay provide the

designer with the best combination of fast switching,

ruggedized device design, low on-resistance and

cost-effectiveness.

The D²PAK is a surface mount power package capabel of

the accommodating die sizes up to HEX-4. It provides the

highest power capability and the lowest possible

on-resistance in any existing surface mount package. The

D²PAK is suitable for high current applications because of its

low internal connection resistance and can dissipate up to

N-Channel MOSFET

2.0

W in a typical surface mount application. The

through-hole version (IRFBF20L/SiHFBF20L) is available for

low-profile applications.

ORDERING INFORMATION

Package

D²PAK (TO-263)

IRFBF20SPbF

SiHFBF20S-E3

IRFBF20S

D²PAK (TO-263)

IRFBF20STRLPbF^a

SiHFBF20STL-E3^a

IRFBF20STRL^a

D²PAK (TO-263)

IRFBF20STRRPbF^a

SiHFBF20STR-E3^a

IRFBF20STRR^a

SiHFBF20STR^a

I²PAK (TO-262)

IRFBF20LPbF

SiHFBF20L-E3

IRFBF20L

Lead (Pb)-free

SnPb

SiHFBF20S-E3

SiHFBF20STL^a

SiHFBF20L

Note

a. See device orientation.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T_C= 25 °C, unless otherwise noted

PARAMETER

SYMBOL

LIMIT

UNIT

Drain-Source Voltage^e

Gate-Source Voltage^e

V_DS

900

V_GS

_C= 25 °C

1.7

1.1

6.8

0.43

180

1.7

5.4

Continuous Drain Current

V_GSat 10 V

I_D

T_C= 100 °C

Pulsed Drain Current^a,e

I_DM

Linear Derating Factor

W/°C

Single Pulse Avalanche Energy^{b, e}

Repetitive Avalanche Current^a

Repetitive Avalanche Energy^a

E_AS

I_AR

E_AR

_C= 25 °C

Maximum Power Dissipation

Peak Diode Recovery dV/dt^{c, e}

P_D

T_A= 25 °C

3.1

1.5

dV/dt

V/ns

* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply

Document Number: 91121

S-Pending-Rev. A, 23-Jun-08

www.vishay.com

WORK-IN-PROGRESS

12 3 4 5 6 7 8

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRFBF20STRLPBF	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFBF20STRR	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFBF20STRRPBF	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFBF22	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 900V V(BR)DSS \| 1.5A I(D) \| TO-220AB
IRFBF22-003PBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 1.5A I(D), 900V, 9.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRFBF22-005PBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 1.5A I(D), 900V, 9.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRFBF30	INFINEON	获取价格	Power MOSFET(Vdss=900V, Rds(on)=3.7ohm, Id=3.6A)
IRFBF30	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFBF30L	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFBF30PBF	INFINEON	获取价格	HEXFET Power MOSFET

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