5秒后页面跳转
IRFBF30 PDF预览

IRFBF30

更新时间: 2024-09-14 22:31:43
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON /
页数 文件大小 规格书
6页 170K
描述
Power MOSFET(Vdss=900V, Rds(on)=3.7ohm, Id=3.6A)

IRFBF30 数据手册

 浏览型号IRFBF30的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IRFBF30的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IRFBF30的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IRFBF30的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IRFBF30的Datasheet PDF文件第6页 

与IRFBF30相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRFBF30L VISHAY

获取价格

Power MOSFET
IRFBF30PBF INFINEON

获取价格

HEXFET Power MOSFET
IRFBF30PBF VISHAY

获取价格

Power MOSFET
IRFBF30STRR VISHAY

获取价格

Power Field-Effect Transistor, 3.6A I(D), 900V, 3.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRFBF32 ETC

获取价格

TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 900V V(BR)DSS | 2.5A I(D) | TO-220AB
IRFBF32-006PBF INFINEON

获取价格

Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 900V, 4.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRFBF32-013 INFINEON

获取价格

Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 900V, 4.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRFBG20 INFINEON

获取价格

Power MOSFET(Vdss=1000V, Rds(on)=11ohm, Id=1.4A)
IRFBG20 VISHAY

获取价格

Power MOSFET
IRFBG20PBF INFINEON

获取价格

HEXFET㈢ Power MOSFET