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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFBF22-003PBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 1.5A I(D), 900V, 9.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRFBF22-005PBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 1.5A I(D), 900V, 9.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRFBF30 | INFINEON |
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Power MOSFET(Vdss=900V, Rds(on)=3.7ohm, Id=3.6A) |
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| IRFBF30 | VISHAY |
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Power MOSFET |
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| IRFBF30L | VISHAY |
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Power MOSFET |
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| IRFBF30PBF | INFINEON |
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HEXFET Power MOSFET |
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| IRFBF30PBF | VISHAY |
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Power MOSFET |
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| IRFBF30STRR | VISHAY |
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Power Field-Effect Transistor, 3.6A I(D), 900V, 3.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRFBF32 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 900V V(BR)DSS | 2.5A I(D) | TO-220AB |
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| IRFBF32-006PBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 900V, 4.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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