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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.1 |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压： | 800 V | 最大漏极电流 (ID)： | 4.1 A |
| 最大漏源导通电阻： | 3 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFBE30STRRPBF | VISHAY |
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Power Field-Effect Transistor, 4.1A I(D), 800V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| IRFBE32 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 3.2A I(D) | TO-220AB |
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| IRFBF20 | INFINEON |
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Power MOSFET(Vdss=900V, Rds(on)=8.0ohm, Id=1.7A) |
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| IRFBF20 | VISHAY |
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Power MOSFET |
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| IRFBF20-002 | VISHAY |
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Power Field-Effect Transistor, 1.7A I(D), 900V, 8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
|
| IRFBF20-018PBF | VISHAY |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 1.7A I(D), 900V, 8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
|
| IRFBF20-030PBF | VISHAY |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 1.7A I(D), 900V, 8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
|
| IRFBF20-031PBF | VISHAY |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 1.7A I(D), 900V, 8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
|
| IRFBF20L | INFINEON |
获取价格 |
Power MOSFET(Vdss=900V, Rds(on)=8.0ohm, Id=1.7A) |
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| IRFBF20L | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
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