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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.6 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 180 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE | 最小漏源击穿电压： | 900 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 1.7 A | 最大漏源导通电阻： | 8 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 6.8 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFBF20-031PBF | VISHAY |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 1.7A I(D), 900V, 8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| IRFBF20L | INFINEON |
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Power MOSFET(Vdss=900V, Rds(on)=8.0ohm, Id=1.7A) |
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| IRFBF20L | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
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| IRFBF20LPBF | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
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| IRFBF20LPBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET |
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| IRFBF20PBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET㈢ Power MOSFET |
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| IRFBF20PBF | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
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| IRFBF20S | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
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| IRFBF20S | INFINEON |
获取价格 |
Power MOSFET(Vdss=900V, Rds(on)=8.0ohm, Id=1.7A) |
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| IRFBF20S, SiHFBF20S, IRFBF20L, SiHFBF20L | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
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