Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> IRFBE30STRRPBF

IRFBE30STRRPBF

更新时间： 2024-11-23 13:08:47

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		/
页数	文件大小	规格书
8页	1451K
描述
Power Field-Effect Transistor, 4.1A I(D), 800V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LEAD FREE, PLASTIC, D2PAK-3

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IRFBE30STRRPBF 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.05	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	260 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	800 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	4.1 A	最大漏极电流 (ID)：	4.1 A
最大漏源导通电阻：	3 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	125 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	16 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IRFBE30STRRPBF 数据手册

IRFBE30, SiHFBE30

Vishay Siliconix

Power MOSFET

FEATURES

• Dynamic dV/dt Rating

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

800

Available

• Repetitive Avalanche Rated

_DS(on)(Ω)

V_GS= 10 V

3.0

RoHS*

• Fast Switching

Q_g(Max.) (nC)

9.6

COMPLIANT

• Ease of Paralleling

_gs(nC)

_gd(nC)

• Simple Drive Requirements

• Lead (Pb)-free Available

Configuration

Single

DESCRIPTION

TO-220

Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the

designer with the best combination of fast switching,

ruggedized device design, low on-resistance and

cost-effectiveness.

The TO-220 package is universally preferred for all

commercial-industrial applications at power dissipation

levels to approximately 50 W. The low thermal resistance

and low package cost of the TO-220 contribute to its wide

acceptance throughout the industry.

N-Channel MOSFET

ORDERING INFORMATION

Package

TO-220

IRFBE30PbF

SiHFBE30-E3

IRFBE30

Lead (Pb)-free

SnPb

SiHFBE30

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T_C= 25 °C, unless otherwise noted

PARAMETER

SYMBOL

LIMIT

UNIT

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_DS

800

V_GS

T_C= 25 °C

T_C=100°C

4.1

Continuous Drain Current

_GSat 10 V

I_D

2.6

Pulsed Drain Current^a

I_DM

Linear Derating Factor

1.0

W/°C

Single Pulse Avalanche Energy^b

Repetitive Avalanche Current^a

Repetitive Avalanche Energy^a

E_AS

I_AR

260

4.1

E_AR

Maximum Power Dissipation

Peak Diode Recovery dV/dt^c

T_C= 25 °C

P_D

125

2.0

dV/dt

T_J, T_stg

V/ns

Operating Junction and Storage Temperature Range

Soldering Recommendations (Peak Temperature)

- 55 to + 150

300^d

°C

for 10 s

lbf · in

N · m

Mounting Torque

6-32 or M3 screw

1.1

Notes

a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).

b. V_DD= 50 V, starting T_J= 25 °C, L = 29 mH, R_G= 25 Ω, I_AS= 4.1 A (see fig. 12).

c. I_SD≤ 4.1 A, dI/dt ≤ 100 A/µs, V_DD≤ 600, T_J≤ 150 °C.

d. 1.6 mm from case.

* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply

Document Number: 91118

S-81262-Rev. A, 07-Jul-08

www.vishay.com

12 3 4 5 6 7 8

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与IRFBE30STRRPBF相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRFBE32	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 800V V(BR)DSS \| 3.2A I(D) \| TO-220AB
IRFBF20	INFINEON	获取价格	Power MOSFET(Vdss=900V, Rds(on)=8.0ohm, Id=1.7A)
IRFBF20	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFBF20-002	VISHAY	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 1.7A I(D), 900V, 8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
IRFBF20-018PBF	VISHAY	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 1.7A I(D), 900V, 8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
IRFBF20-030PBF	VISHAY	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 1.7A I(D), 900V, 8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
IRFBF20-031PBF	VISHAY	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 1.7A I(D), 900V, 8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
IRFBF20L	INFINEON	获取价格	Power MOSFET(Vdss=900V, Rds(on)=8.0ohm, Id=1.7A)
IRFBF20L	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFBF20LPBF	VISHAY	获取价格	Power MOSFET

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