IRFBE30LPBF

更新时间： 2024-11-27 05:39:27

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威世 - VISHAY		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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描述
Power MOSFET

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IRFBE30LPBF 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-262AA
包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	Factory Lead Time：	6 weeks
风险等级：	0.67	Is Samacsys：	N
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	260 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	800 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	4.1 A
最大漏极电流 (ID)：	4.1 A	最大漏源导通电阻：	3 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-262AA
JESD-30 代码：	R-PSIP-T3	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	125 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	16 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Powers	表面贴装：	NO
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IRFBE30LPBF 数据手册

IRFBE30S, IRFBE30L, SiHFBE30S, SiHFBE30L

Vishay Siliconix

Power MOSFET

FEATURES

• Dynamic dV/dt Rating

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

800

Available

• Repetitive Avalanche Rated

• Fast Switching

_DS(on)(Ω)

V_GS= 10 V

3.0

RoHS*

Q_g(Max.) (nC)

9.6

COMPLIANT

_gs(nC)

_gd(nC)

• Ease of Paralleling

• Simple Drive Requirements

• Lead (Pb)-free Available

Configuration

Single

D²PAK

I²PAK

(TO-263)

(TO-262)

DESCRIPTION

Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the

designer with the best combination of fast switching,

ruggedized device design, low on-resistance and

cost-effectiveness.

N-Channel MOSFET

ORDERING INFORMATION

Package

D²PAK (TO-263)

I²PAK (TO-262)

IRFBE30SPbF

IRFBE30STRLPbF^a

SiHFBE30STL-E3^a

IRFBE30LPbF

Lead (Pb)-free

SiHFBE30S-E3

IRFBE30S

SiHFBE30L-E3

SnPb

SiHFBE30S

Note

a. See device orientation.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T_C= 25 °C, unless otherwise noted

PARAMETER

SYMBOL

LIMIT

UNIT

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_DS

800

V_GS

_C= 25 °C

4.1

Continuous Drain Current

V_GSat 10 V

I_D

T_C=100°C

2.6

Pulsed Drain Current^a

I_DM

Linear Derating Factor

1.0

W/°C

Single Pulse Avalanche Energy^b

Avalanche Current^a

E_AS

I_AR

260

4.1

Repetitive Avalanche Energy^a

E_AR

Maximum Power Dissipation

Peak Diode Recovery dV/dt^c

_C= 25 °C

P_D

125

2.0

dV/dt

T_J, T_stg

V/ns

Operating Junction and Storage Temperature Range

Soldering Recommendations (Peak Temperature)

- 55 to + 150

300^d

°C

for 10 s

6-32 or M3 screw

lbf · in

N · m

Mounting Torque

1.1

Notes

a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).

b. V_DD= 50 V, starting T_J= 25 °C, L = 29 mH, R_G= 25 Ω, I_AS= 4.1 A (see fig. 12).

c. I_SD≤ 4.1 A, dI/dt ≤ 100 A/µs, V_DD≤ 600 V, T_J≤ 150 °C.

d. 1.6 mm from case.

* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply

Document Number: 91119

S-81432-Rev. A, 07-Jul-08

www.vishay.com

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRFBE30PBF	KERSEMI	获取价格	Dynamic dV/dt Rating Repetitive Avalanche Rated
IRFBE30PBF	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFBE30S	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFBE30S	INFINEON	获取价格	HEXFET㈢ Power MOSFET
IRFBE30S, SiHFBE30S, IRFBE30L, SiHFBE30L	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFBE30S_V01	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFBE30SPBF	INFINEON	获取价格	HEXFET Power MOSFET
IRFBE30SPBF	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
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