是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
Reach Compliance Code: | compliant | 风险等级: | 5.13 |
Is Samacsys: | N | 外壳连接: | DRAIN |
配置: | SINGLE | 最小漏源击穿电压: | 800 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 1.6 A | 最大漏极电流 (ID): | 1.6 A |
最大漏源导通电阻: | 7.8 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码: | TO-220AB | JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 |
JESD-609代码: | e3 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 50 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 6.4 A | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | FET General Purpose Power | 表面贴装: | NO |
端子面层: | Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IRFBE22-006PBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 1.6A I(D), 800V, 7.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met | |
IRFBE22-009 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 1.6A I(D), 800V, 7.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met | |
IRFBE30 | INFINEON |
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Power MOSFET(Vdss=800V, Rds(on)=3.0ohm, Id=4.1A) | |
IRFBE30 | VISHAY |
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Power MOSFET | |
IRFBE30 | KERSEMI |
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Dynamic dV/dt Rating Repetitive Avalanche Rated | |
IRFBE30L | VISHAY |
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Power MOSFET | |
IRFBE30L | INFINEON |
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HEXFET㈢ Power MOSFET | |
IRFBE30LPBF | INFINEON |
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HEXFET Power MOSFET | |
IRFBE30LPBF | VISHAY |
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Power MOSFET | |
IRFBE30PBF | KERSEMI |
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Dynamic dV/dt Rating Repetitive Avalanche Rated |