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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | SFM | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| 风险等级： | 5.43 | 其他特性： | AVALANCHE RATED |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 320 mJ | 配置： | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压： | 800 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 2.6 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 2.6 A | 最大漏源导通电阻： | 4 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 75 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 10 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BUZ80A | INFINEON |
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SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode) |
|
| BUZ80A | STMICROELECTRONICS |
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N - CHANNEL 800V - 2.5ohm - 3.8A - TO-220 FAST POWER MOS TRANSISTOR |
|
| BUZ80A | NJSEMI |
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Trans MOSFET N-CH 800V 3.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 |
|
| BUZ80AC67078-S1309-A3 | INFINEON |
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TRANSISTOR TO 220 MOSFET N KANAL |
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| BUZ80A-E3044 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 800V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o |
|
| BUZ80A-E3045 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 800V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o |
|
| BUZ80A-E3046 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 800V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o |
|
| BUZ80AFI | ETC |
获取价格 |
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS(197.88 k) |
|
| BUZ80-E3045 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 2.6A I(D), 800V, 4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
|
| BUZ80-E3046 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 2.6A I(D), 800V, 4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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