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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BUZ80A-E3046 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 800V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o |
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| BUZ80AFI | ETC |
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N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS(197.88 k) |
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| BUZ80-E3045 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 2.6A I(D), 800V, 4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| BUZ80-E3046 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 2.6A I(D), 800V, 4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| BUZ80F | ETC |
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N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS(196.99 k) |
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| BUZ80FI | STMICROELECTRONICS |
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N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR |
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| BUZ81 | INFINEON |
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SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Avalanche-rated) |
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| BUZ81-E3044 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 800V, 2.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| BUZ81-E3045 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 800V, 2.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| BUZ81-E3046 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 800V, 2.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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