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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-220AB |
| 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.26 |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 800 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 3 A | 最大漏源导通电阻： | 3 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 |
| JESD-609代码： | e3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 12 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | MATTE TIN |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BUZ80AFI | ETC |
获取价格 |
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS(197.88 k) |
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| BUZ80-E3045 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 2.6A I(D), 800V, 4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| BUZ80-E3046 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 2.6A I(D), 800V, 4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
|
| BUZ80F | ETC |
获取价格 |
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS(196.99 k) |
|
| BUZ80FI | STMICROELECTRONICS |
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N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR |
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| BUZ81 | INFINEON |
获取价格 |
SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Avalanche-rated) |
|
| BUZ81-E3044 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 800V, 2.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
|
| BUZ81-E3045 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 800V, 2.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
|
| BUZ81-E3046 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 800V, 2.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| BUZ83 | INFINEON |
获取价格 |
main ratings |
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