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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | SFM | 包装说明： | TO-220, 3 PIN |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.09 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | AVALANCHE RATED | 雪崩能效等级（Eas）： | 320 mJ |
| 配置： | SINGLE | 最小漏源击穿电压： | 800 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 3 A | 最大漏极电流 (ID)： | 3 A |
| 最大漏源导通电阻： | 3 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 75 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 12 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| BUZ81 | INFINEON |
类似代替  |
SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Avalanche-rated) |
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| IRFBE30PBF | VISHAY |
功能相似 |
Power MOSFET |
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| BUK456-800A | NXP |
功能相似 |
PowerMOS transistor |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BUZ80AC67078-S1309-A3 | INFINEON |
获取价格 |
TRANSISTOR TO 220 MOSFET N KANAL |
|
| BUZ80A-E3044 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 800V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o |
|
| BUZ80A-E3045 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 800V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o |
|
| BUZ80A-E3046 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 800V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o |
|
| BUZ80AFI | ETC |
获取价格 |
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS(197.88 k) |
|
| BUZ80-E3045 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 2.6A I(D), 800V, 4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
|
| BUZ80-E3046 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 2.6A I(D), 800V, 4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
|
| BUZ80F | ETC |
获取价格 |
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS(196.99 k) |
|
| BUZ80FI | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR |
|
| BUZ81 | INFINEON |
获取价格 |
SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Avalanche-rated) |
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