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BUZ80A

更新时间: 2024-11-22 22:34:35
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页数 文件大小 规格书
9页 180K
描述
SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode)

BUZ80A 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:SFM包装说明:TO-220, 3 PIN
针数:3Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.09Is Samacsys:N
其他特性:AVALANCHE RATED雪崩能效等级(Eas):320 mJ
配置:SINGLE最小漏源击穿电压:800 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):3 A最大漏极电流 (ID):3 A
最大漏源导通电阻:3 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码:TO-220ABJESD-30 代码:R-PSFM-T3
JESD-609代码:e0元件数量:1
端子数量:3工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):75 W最大脉冲漏极电流 (IDM):12 A
认证状态:Not Qualified子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:NO端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

BUZ80A 数据手册

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BUZ 80A  
®
SIPMOS Power Transistor  
• N channel  
• Enhancement mode  
Pin 1  
Pin 2  
Pin 3  
G
D
S
Type  
V
DS  
I
R
)
DS(on  
Package  
Ordering Code  
D
BUZ 80A  
800 V  
3 A  
3 Ω  
TO-220 AB  
C67078-A1309-A3  
Maximum Ratings  
Parameter  
Symbol  
Values  
Unit  
Drain source voltage  
Drain-gate voltage  
V
V
800  
V
DS  
DGR  
R
= 20 k  
800  
3
GS  
Continuous drain current  
I
I
A
D
T = 50 °C  
C
Pulsed drain current  
Dpuls  
T = 25 °C  
C
12  
Gate source voltage  
Power dissipation  
V
P
± 20  
V
GS  
W
tot  
T = 25 °C  
C
75  
Operating temperature  
Storage temperature  
T
T
-55 ... ...+ 150 °C  
-55 ... ...+ 150  
j
stg  
Thermal resistance, chip case  
R
R
1.67  
75  
K/W  
thJC  
Thermal resistance, chip to ambient  
DIN humidity category, DIN 40 040  
IEC climatic category, DIN IEC 68-1  
thJA  
E
55 / 150 / 56  
Semiconductor Group  
1
07/96  

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