5秒后页面跳转
| 生命周期： | Contact Manufacturer | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.65 | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BUZ80A | INFINEON |
获取价格 |
SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode) |
|
| BUZ80A | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N - CHANNEL 800V - 2.5ohm - 3.8A - TO-220 FAST POWER MOS TRANSISTOR |
|
| BUZ80A | NJSEMI |
获取价格 |
Trans MOSFET N-CH 800V 3.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 |
|
| BUZ80AC67078-S1309-A3 | INFINEON |
获取价格 |
TRANSISTOR TO 220 MOSFET N KANAL |
|
| BUZ80A-E3044 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 800V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o |
|
| BUZ80A-E3045 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 800V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o |
|
| BUZ80A-E3046 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 800V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o |
|
| BUZ80AFI | ETC |
获取价格 |
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS(197.88 k) |
|
| BUZ80-E3045 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 2.6A I(D), 800V, 4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
|
| BUZ80-E3046 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 2.6A I(D), 800V, 4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
|
英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
