5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TO-220AB | 包装说明： | TO-220AB, 3 PIN |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.29 | 雪崩能效等级（Eas）： | 170 mJ |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 800 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 1.5 A | 最大漏源导通电阻： | 8 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 6 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BUZ80 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR |
|
| BUZ80 | INFINEON |
获取价格 |
SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Avalanche-rated) |
|
| BUZ80 | NJSEMI |
获取价格 |
Trans MOSFET N-CH 800V 3.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 |
|
| BUZ80A | INFINEON |
获取价格 |
SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode) |
|
| BUZ80A | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N - CHANNEL 800V - 2.5ohm - 3.8A - TO-220 FAST POWER MOS TRANSISTOR |
|
| BUZ80A | NJSEMI |
获取价格 |
Trans MOSFET N-CH 800V 3.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 |
|
| BUZ80AC67078-S1309-A3 | INFINEON |
获取价格 |
TRANSISTOR TO 220 MOSFET N KANAL |
|
| BUZ80A-E3044 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 800V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o |
|
| BUZ80A-E3045 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 800V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o |
|
| BUZ80A-E3046 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 800V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
