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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | D2PAK | 包装说明： | PLASTIC, TO-263, 3 PIN |
| 针数： | 4 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.7 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | AVALANCHE RATED |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 380 mJ | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 55 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 77 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 77 A | 最大漏源导通电阻： | 0.015 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-263AB |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 170 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 308 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BUZ100SE3045A | ETC |
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N-Channel Enhancement MOSFET |
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| BUZ100SL | INFINEON |
获取价格 |
SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Logic Level Avalanche-rated) |
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| BUZ100SL4 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | ARRAY | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 7.4A I(D) | SO |
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| BUZ100SL-4 | INFINEON |
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SIPMOS Power Transistor (Quad-channel Enhancement mode Logic level Avalanche-rated d v/d t |
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| BUZ100SLE3045 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 70A I(D) | TO-263AB |
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| BUZ100SLE3045A | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 70A I(D), 55V, 0.018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| BUZ100SQ67040W4001A2 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR LEISTUNGS MOSFET |
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| BUZ101 | INFINEON |
获取价格 |
SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Avalanche-rated d v/d t rated Low on-r |
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| BUZ101L | INFINEON |
获取价格 |
SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Avalanche-rated Logic Level) |
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| BUZ101S | INFINEON |
获取价格 |
SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Avalanche-rated d v/d t rated) |
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