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| 生命周期： | Transferred | 零件包装代码： | TO-220AB |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.27 | 其他特性： | LOGIC LEVEL COMPATIBLE |
| 配置： | SINGLE | 最小漏源击穿电压： | 55 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 47 A | 最大漏源导通电阻： | 0.028 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BUZ102AL | INFINEON |
获取价格 |
SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Avalanche-rated Logic Level d v/d t ra |
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| BUZ102S | INFINEON |
获取价格 |
SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Avalanche-rated dv/dt rated) |
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| BUZ102S4 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | ARRAY | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 6.4A I(D) | SO |
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| BUZ102S-4 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 6.4A I(D), 55V, 0.028ohm, 4-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| BUZ102SE3045 | INFINEON |
获取价格 |
SIPMOS Power Transistor |
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| BUZ102SE3045A | INFINEON |
获取价格 |
SIPMOS Power Transistor |
|
| BUZ102SL | INFINEON |
获取价格 |
SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Logic Level Avalanche-rated dv/dt rate |
|
| BUZ102SL4 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | ARRAY | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 6.2A I(D) | SO |
|
| BUZ102SL-4 | INFINEON |
获取价格 |
SIPMOS Power Transistor (Quad-channel Enhancement mode Logic level Avalanche-rated d v/d t |
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| BUZ102SLE3045 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 47A I(D) | TO-263AB |
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