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BUZ104

更新时间： 2024-11-26 22:27:59
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
9页 212K
描述
SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Avalanche-rated d v/d t rated Low on-resistance)

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BUZ104 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.45
其他特性：AVALANCHE RATED雪崩能效等级（Eas）：35 mJ
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：50 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：17.5 A最大漏极电流 (ID)：17.5 A
最大漏源导通电阻：0.1 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：60 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：70 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE晶体管元件材料：SILICON

BUZ104 数据手册

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BUZ 104  
®
SIPMOS Power Transistor  
• N channel  
• Enhancement mode  
• Avalanche-rated  
• dv/dt rated  
• Low on-resistance  
• 175°C operating temperature  
• also in TO-220 SMD available  
Pin 1  
Pin 2  
Pin 3  
G
D
S
Type  
V
DS  
I
R
DS(on)  
Package  
Ordering Code  
D
Ω
BUZ 104  
50 V  
17.5 A  
0.1  
TO-220 AB  
C67078-S1353-A2  
Maximum Ratings  
Parameter  
Symbol  
Values  
17.5  
70  
Unit  
Continuous drain current  
I
A
D
T = 29 °C  
C
Pulsed drain current  
I
Dpuls  
T = 25 °C  
C
Avalanche energy, single pulse  
I = 17.5 A, V = 25 V, R = 25  
E
AS  
mJ  
Ω
D
DD  
GS  
L = 114 µH, T = 25 °C  
35  
j
Reverse diode dv/dt  
dv/dt  
kV/µs  
I = 17.5 A, V = 40 V, di /dt = 200 A/µs  
S
DS  
F
T
= 175 °C  
6
jmax  
±
Gate source voltage  
Power dissipation  
V
P
20  
V
GS  
W
tot  
T = 25 °C  
C
60  
Operating temperature  
Storage temperature  
T
T
-55 ... + 175 °C  
-55 ... + 175  
j
stg  
≤
Thermal resistance, chip case  
R
R
2.5  
K/W  
thJC  
Thermal resistance, chip to ambient  
DIN humidity category, DIN 40 040  
IEC climatic category, DIN IEC 68-1  
≤ 75  
thJA  
E
55 / 175 / 56  
Semiconductor Group  
1
07/96  
1234567...9

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BUZ104L INFINEON

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