Datasheet > BUZ10S2

BUZ10S2

更新时间： 2024-11-26 22:27:59

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
9页	134K
描述
SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Avalanche-rated)

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

BUZ10S2 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.82
配置：	Single	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	24 A
最大漏极电流 (ID)：	24 A	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	75 W
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO

BUZ10S2 数据手册

BUZ 10 S2

Not for new design

SIPMOS Power Transistor

• N channel

• Enhancement mode

• Avalanche-rated

Pin 1

Pin 2

Pin 3

Type

Package

Ordering Code

DS(on)

Ω

BUZ 10 S2

60 V

23 A

0.07

TO-220 AB

C67078-S1300-A7

Maximum Ratings

Parameter

Symbol

Values

Unit

Continuous drain current

T = 26 °C

Pulsed drain current

Dpuls

T = 25 °C

1.3

Avalanche current,limited by T

jmax

Avalanche energy,periodic limited by T

Avalanche energy, single pulse

jmax

Ω

I = 23 A, V = 25 V, R = 25

L = 15.1 µH, T = 25 °C

Gate source voltage

Power dissipation

tot

T = 25 °C

Operating temperature

Storage temperature

-55 ... + 150 °C

-55 ... + 150

stg

≤

Thermal resistance, chip case

1.67

K/W

thJC

≤

Thermal resistance, chip to ambient

DIN humidity category, DIN 40 040

IEC climatic category, DIN IEC 68-1

thJA

55 / 150 / 56

Semiconductor Group

07/96

12 3 4 5 6 7...9

中文翻译

下载PDF

与BUZ10S2相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BUZ10S2-E3044	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 60V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
BUZ10S2-E3045	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 60V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
BUZ10S2-E3046	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 60V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
BUZ11	STMICROELECTRONICS	获取价格	N - CHANNEL 50V - 0.03W - 33A TO-220 STripFET] MOSFET
BUZ11	INFINEON	获取价格	SIPMOS Power Transistorm (N channel Enhancement mode Avalanche-rated)
BUZ11	INTERSIL	获取价格	30A, 50V, 0.040 Ohm, N-Channel Power MOSFET
BUZ11	FAIRCHILD	获取价格	30A, 50V, 0.040 Ohm, N-Channel Power MOSFET
BUZ11	NJSEMI	获取价格	Trans MOSFET N-CH 50V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220
BUZ11_NR4941	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 50V, 0.04ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
BUZ110S	INFINEON	获取价格	SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Avalanche-rated dv/dt rated)