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BUZ11A

更新时间： 2024-11-29 18:04:39

品牌	Logo	应用领域
摩托罗拉 - MOTOROLA		/
页数	文件大小	规格书
2页	70K
描述
25A, 50V, 0.06ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB

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BUZ11A 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.12
其他特性：	LEADFORM OPTIONS ARE AVAILABLE	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	50 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	25 A	最大漏极电流 (ID)：	25 A
最大漏源导通电阻：	0.06 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)：	400 pF	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	功耗环境最大值：	75 W
最大功率耗散 (Abs)：	75 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	100 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	最大关闭时间（toff）：	400 ns
最大开启时间（吨）：	155 ns	Base Number Matches：	1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BUZ11A16	MOTOROLA	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 50V, 0.06ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
BUZ11A16A	MOTOROLA	获取价格	30A, 50V, 0.04ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
BUZ11AA	MOTOROLA	获取价格	25A, 50V, 0.06ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
BUZ11AA16A	MOTOROLA	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 50V, 0.06ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
BUZ11AAF	MOTOROLA	获取价格	25 A, 50 V, 0.06 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
BUZ11AAJ	MOTOROLA	获取价格	25A, 50V, 0.06ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
BUZ11AC	MOTOROLA	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 50V, 0.06ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
BUZ11ACHIP	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 50V V(BR)DSS \| 25A I(D) \| CHIP
BUZ11AD1	MOTOROLA	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 50V, 0.06ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
BUZ11A-E3045	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 26A I(D), 50V, 0.055ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met