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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BUZ11CHP | VISHAY |
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Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
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| BUZ11D1 | MOTOROLA |
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Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 50V, 0.04ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| BUZ11FI | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 21A I(D) | TO-220VAR |
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| BUZ11L | MOTOROLA |
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30A, 50V, 0.04ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
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| BUZ11N | MOTOROLA |
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Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 50V, 0.04ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| BUZ11-NR4941 | ONSEMI |
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N 沟道功率 MOSFET 50V，30A，40mΩ |
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| BUZ11S | MOTOROLA |
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Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 50V, 0.04ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| BUZ11S2 | INFINEON |
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SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Avalanche-rated) |
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| BUZ11S2-E3044 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 60V, 0.04ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| BUZ11S2-E3045 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 60V, 0.04ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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