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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.64 | Is Samacsys： | N |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压： | 50 V | 最大漏极电流 (ID)： | 25 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.06 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 功耗环境最大值： | 75 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BUZ11AA16A | MOTOROLA |
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Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 50V, 0.06ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| BUZ11AAF | MOTOROLA |
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25 A, 50 V, 0.06 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
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| BUZ11AAJ | MOTOROLA |
获取价格 |
25A, 50V, 0.06ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
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| BUZ11AC | MOTOROLA |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 50V, 0.06ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| BUZ11ACHIP | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 25A I(D) | CHIP |
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| BUZ11AD1 | MOTOROLA |
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Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 50V, 0.06ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| BUZ11A-E3045 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 26A I(D), 50V, 0.055ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| BUZ11AF | MOTOROLA |
获取价格 |
30A, 50V, 0.04ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
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| BUZ11AJ | MOTOROLA |
获取价格 |
30A, 50V, 0.04ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
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| BUZ11AL | INFINEON |
获取价格 |
SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Avalanche-rated Logic Level) |
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