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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | D2PAK |
| 包装说明： | PLASTIC, TO-263, 3 PIN | 针数： | 4 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.7 | 其他特性： | AVALANCHE RATED |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 700 mJ | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 55 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 80 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 80 A | 最大漏源导通电阻： | 0.008 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-263AB |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 300 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 320 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BUZ111SE3045A | INFINEON |
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SIPMOS Power Transistor |
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| BUZ111SL | INFINEON |
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SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Logic Level Avalanche-rated dv/dt rate |
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| BUZ111SLE3045 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 80A I(D) | TO-263AB |
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| BUZ111SLE3045A | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 55V, 0.01ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| BUZ111SQ67040S4003A2 | ETC |
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TRANSISTOR LEISTUNGS MOSFET |
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| BUZ11A | STMICROELECTRONICS |
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N - CHANNEL 50V - 0.045W - 26A TO-220 STripFET] MOSFET |
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| BUZ11A | INFINEON |
获取价格 |
SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Avalanche-rated) |
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| BUZ11A | MOTOROLA |
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25A, 50V, 0.06ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
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| BUZ11A | NJSEMI |
获取价格 |
Trans MOSFET N-CH 50V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-220 |
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| BUZ11A16 | MOTOROLA |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 50V, 0.06ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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