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| 意法半导体 - STMICROELECTRONICS |  |
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| 页数 | 文件大小 | 规格书 |
| 8页 | 82K |  |
| 描述 | ||
| N - CHANNEL 50V - 0.045W - 26A TO-220 STripFET] MOSFET | ||
| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TO-220AB | 包装说明： | TO-220, 3 PIN |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.1 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 120 mJ | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 50 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 25 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 26 A | 最大漏源导通电阻： | 0.055 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 最大反馈电容 (Crss)： | 200 pF |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 功耗环境最大值： | 95 W | 最大功率耗散 (Abs)： | 75 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 104 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 最大关闭时间（toff）： | 450 ns | 最大开启时间（吨）： | 175 ns |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| IRFR1205TRPBF | INFINEON |
功能相似  |
Ultra Low On-Resistance |
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| IRLZ24NPBF | INFINEON |
功能相似 |
Logic-Level Gate Drive, Advanced Process Technology |
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| IRFZ24NPBF | INFINEON |
功能相似 |
HEXFET Power MOSFET |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BUZ11A16 | MOTOROLA |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 50V, 0.06ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| BUZ11A16A | MOTOROLA |
获取价格 |
30A, 50V, 0.04ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
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| BUZ11AA | MOTOROLA |
获取价格 |
25A, 50V, 0.06ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
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| BUZ11AA16A | MOTOROLA |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 50V, 0.06ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| BUZ11AAF | MOTOROLA |
获取价格 |
25 A, 50 V, 0.06 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
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| BUZ11AAJ | MOTOROLA |
获取价格 |
25A, 50V, 0.06ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
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| BUZ11AC | MOTOROLA |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 50V, 0.06ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| BUZ11ACHIP | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 25A I(D) | CHIP |
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| BUZ11AD1 | MOTOROLA |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 50V, 0.06ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| BUZ11A-E3045 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 26A I(D), 50V, 0.055ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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