5秒后页面跳转
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BUZ111SLE3045A | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 55V, 0.01ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
|
| BUZ111SQ67040S4003A2 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR LEISTUNGS MOSFET |
|
| BUZ11A | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N - CHANNEL 50V - 0.045W - 26A TO-220 STripFET] MOSFET |
|
| BUZ11A | INFINEON |
获取价格 |
SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Avalanche-rated) |
|
| BUZ11A | MOTOROLA |
获取价格 |
25A, 50V, 0.06ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
|
| BUZ11A | NJSEMI |
获取价格 |
Trans MOSFET N-CH 50V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-220 |
|
| BUZ11A16 | MOTOROLA |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 50V, 0.06ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
|
| BUZ11A16A | MOTOROLA |
获取价格 |
30A, 50V, 0.04ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
|
| BUZ11AA | MOTOROLA |
获取价格 |
25A, 50V, 0.06ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
|
| BUZ11AA16A | MOTOROLA |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 50V, 0.06ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
数据手册
如果您发现信息不准确，
