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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> BUZ110SE3045A
BUZ110SE3045A PDF预览

BUZ110SE3045A

更新时间： 2024-11-27 04:09:51
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英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
8页 129K
描述
SIPMOS㈢ Power Transistor

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BUZ110SE3045A 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：D2PAK包装说明：PLASTIC, TO-263, 3 PIN
针数：4Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.77
Is Samacsys：N其他特性：AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：460 mJ配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：55 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：80 A
最大漏极电流 (ID)：80 A最大漏源导通电阻：0.01 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-263AB
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：200 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：320 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

BUZ110SE3045A 数据手册

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BUZ 110S  
SIPMOSPower Transistor  
Product Summary  
Features  
Drain source voltage  
55  
0.01  
80  
V
V
DS  
• N channel  
Drain-Source on-state resistance  
Continuous drain current  
R
DS(on)  
Ω
•
Enhancement mode  
• Avalanche rated  
• d /d rated  
• 175 ˚C operating temperature  
A
I
D
v
t
Pin1 Pin2 Pin3  
Type  
Package  
Ordering Code  
Packaging  
G
D
S
BUZ110S  
P-TO220-3-1 Q67040-S4005-A2 Tube  
P-TO263-3-2 Q67040-S4005-A6 Tape and Reel  
P-TO263-3-2 Q67040-S4005-A5 Tube  
BUZ110S E3045A  
BUZ110S E3045  
Maximum Ratings, at  
T
= 25 ˚C unless otherwise specified  
j
Parameter  
Symbol  
Value  
Unit  
Continuous drain current  
A
I
D
T
= 25 ˚C, limited by bond wire  
= 100˚C  
80  
66  
C
T
C
Pulsed drain current  
= 25 ˚C  
320  
IDpulse  
T
C
Avalanche energy, single pulse  
= 80 A, = 25 V, = 25 Ω  
460  
mJ  
E
E
AS  
I
V
R
GS  
D
DD  
20  
6
Avalanche energy, periodic limited by  
Reverse diode d /d  
= 80 A, = 40 V, d  
T
jmax  
AR  
kV/µs  
v
t
d
v
/d  
t
I
V
i/d  
t
= 200 A/  
µ
s,  
S
DS  
T
= 175 ˚C  
jmax  
Gate source voltage  
Power dissipation  
V
V
P
20  
GS  
200  
W
tot  
T
= 25 ˚C  
C
Operating and storage temperature  
IEC climatic category; DIN IEC 68-1  
-55... +175  
55/175/56  
˚C  
T , T  
j stg  
Data Book  
1
05.99  
12345678

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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