Datasheet > BUZ11

BUZ11

更新时间： 2024-11-26 23:14:23

品牌	Logo	应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD		/
页数	文件大小	规格书
6页	84K
描述
30A, 50V, 0.040 Ohm, N-Channel Power MOSFET

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

BUZ11 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.23
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	50 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	30 A
最大漏极电流 (ID)：	30 A	最大漏源导通电阻：	0.04 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	75 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	120 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

BUZ11 数据手册

BUZ11

Data Sheet

June 1999

File Number 2253.2

30A, 50V, 0.040 Ohm, N-Channel Power

MOSFET

Features

• 30A, 50V

[ /Title

(BUZ1

/Sub-

ject

(30A,

50V,

0.040

Ohm,

N-

This is an N-Channel enhancement mode silicon gate power

ﬁeld effect transistor designed for applications such as

switching regulators, switching converters, motor drivers,

relay drivers and drivers for high power bipolar switching

transistors requiring high speed and low gate drive power.

This type can be operated directly from integrated circuits.

• r

DS(ON)

= 0.040Ω

• SOA is Power Dissipation Limited

• Nanosecond Switching Speeds

• Linear Transfer Characteristics

• High Input Impedance

Formerly developmental type TA9771.

• Majority Carrier Device

Ordering Information

• Related Literature

- TB334 “Guidelines for Soldering Surface Mount

Components to PC Boards”

PART NUMBER

PACKAGE

BRAND

BUZ11

TO-220AB

Chan-

nel

NOTE: When ordering, use the entire part number.

Symbol

Power

MOS-

FET)

/Autho

r ()

/Key-

words

(Inter-

sil

Packaging

Corpo-

ration,

N-

Chan-

nel

JEDEC TO-220AB

SOURCE

DRAIN

GATE

DRAIN (FLANGE)

Power

MOS-

FET,

TO-

220AB

)

/Cre-

ator ()

/DOCI

NFO

pdf-

mark

BUZ1 Rev. A

12 3 4 5 6

中文翻译

下载PDF

与BUZ11相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BUZ11_NR4941	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 50V, 0.04ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
BUZ110S	INFINEON	获取价格	SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Avalanche-rated dv/dt rated)
BUZ110SE3045	INFINEON	获取价格	SIPMOS㈢ Power Transistor
BUZ110SE3045A	INFINEON	获取价格	SIPMOS㈢ Power Transistor
BUZ110SL	INFINEON	获取价格	SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Logic Level Avalanche-rated dv/dt rate
BUZ110SLE3045	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 55V V(BR)DSS \| 80A I(D) \| TO-263AB
BUZ111	INFINEON	获取价格	SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Avalanche-rated dv/dt rated)
BUZ1116	MOTOROLA	获取价格	30A, 50V, 0.04ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
BUZ111S	INFINEON	获取价格	SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Avalanche-rated dv/dt rated)
BUZ111SE3045	INFINEON	获取价格	SIPMOS Power Transistor

与BUZ11相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

46
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

35
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

64
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

61

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

BUZ11

BUZ11 技术参数

BUZ11 数据手册

与BUZ11相关器件

与BUZ11相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

BUZ11

BUZ11 技术参数

BUZ11 数据手册

与BUZ11相关器件

与BUZ11相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？