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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-220AB |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.27 | 其他特性： | LOGIC LEVEL COMPATIBLE |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 8 mJ | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 50 V | 最大漏极电流 (ID)： | 23 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.07 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 92 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BUZ10L-E3045 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 50V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| BUZ10L-E3046 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 50V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| BUZ10S2 | INFINEON |
获取价格 |
SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Avalanche-rated) |
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| BUZ10S2-E3044 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 60V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
|
| BUZ10S2-E3045 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 60V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
|
| BUZ10S2-E3046 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 60V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| BUZ11 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N - CHANNEL 50V - 0.03W - 33A TO-220 STripFET] MOSFET |
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| BUZ11 | INFINEON |
获取价格 |
SIPMOS Power Transistorm (N channel Enhancement mode Avalanche-rated) |
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| BUZ11 | INTERSIL |
获取价格 |
30A, 50V, 0.040 Ohm, N-Channel Power MOSFET |
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| BUZ11 | FAIRCHILD |
获取价格 |
30A, 50V, 0.040 Ohm, N-Channel Power MOSFET |
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