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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | D2PAK | 包装说明： | PLASTIC, TO-263, 3 PIN |
| 针数： | 4 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.71 |
| 其他特性： | AVALANCHE RATED | 雪崩能效等级（Eas）： | 140 mJ |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 55 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 31 A | 最大漏极电流 (ID)： | 31 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.036 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-263AB | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 75 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 124 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BUZ103SE3045A | ETC |
获取价格 |
N-Channel Enhancement MOSFET |
|
| BUZ103SL | INFINEON |
获取价格 |
SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Logic Level Avalanche-rated dv/dt rate |
|
| BUZ103SL | ROCHESTER |
获取价格 |
28A, 55V, 0.044ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, PLASTIC, TO-220, 3 PIN |
|
| BUZ103SL4 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | ARRAY | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 4.8A I(D) | SO |
|
| BUZ103SL-4 | INFINEON |
获取价格 |
SIPMOS Power Transistor (Quad-channel Enhancement mode Logic level Avalanche-rated d v/d t |
|
| BUZ103SLE3045 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 28A I(D) | TO-263AB |
|
| BUZ103SLE3045A | ROCHESTER |
获取价格 |
28A, 55V, 0.044ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, PLASTIC, TO-263, 3 PIN |
|
| BUZ103SQ67040W40092A | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR LEISTUNGS MOSFET |
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| BUZ104 | INFINEON |
获取价格 |
SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Avalanche-rated d v/d t rated Low on-r |
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| BUZ104L | INFINEON |
获取价格 |
SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Avalanche-rated Logic Level d v/d t ra |
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