5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | D2PAK |
| 包装说明： | PLASTIC, TO-263, 3 PIN | 针数： | 4 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.27 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | LOGIC LEVEL COMPATIBLE, AVALANCHE RATED |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 140 mJ | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 55 V | 最大漏极电流 (ID)： | 28 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.044 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-263AB | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| JESD-609代码： | e0 | 湿度敏感等级： | NOT SPECIFIED |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 112 A | 认证状态： | COMMERCIAL |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BUZ103SQ67040W40092A | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR LEISTUNGS MOSFET |
|
| BUZ104 | INFINEON |
获取价格 |
SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Avalanche-rated d v/d t rated Low on-r |
|
| BUZ104L | INFINEON |
获取价格 |
SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Avalanche-rated Logic Level d v/d t ra |
|
| BUZ104S | INFINEON |
获取价格 |
SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancemen |
|
| BUZ104SE3045 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 13.5A I(D) | TO-263AB |
|
| BUZ104SE3045A | ETC |
获取价格 |
N-Channel Enhancement MOSFET |
|
| BUZ104SL | INFINEON |
获取价格 |
SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancemen |
|
| BUZ104SL4 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | ARRAY | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 3.2A I(D) | SO |
|
| BUZ104SL-4 | INFINEON |
获取价格 |
SIPMOS Power Transistor (Quad-channel Enhancement mode Logic level Avalanche-rated d v/d t |
|
| BUZ104SLE3045 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 12.5A I(D), 55V, 0.11ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
