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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | SOT |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G28 | 针数： | 28 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 5.27 |
| 其他特性： | LOGIC LEVEL COMPATIBLE | 雪崩能效等级（Eas）： | 140 mJ |
| 配置： | SEPARATE, 4 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 55 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 4.8 A | 最大漏极电流 (ID)： | 4.8 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.055 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G28 | 元件数量： | 4 |
| 端子数量： | 28 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 9.6 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 19.2 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BUZ103SLE3045 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 28A I(D) | TO-263AB |
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| BUZ103SLE3045A | ROCHESTER |
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28A, 55V, 0.044ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, PLASTIC, TO-263, 3 PIN |
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| BUZ103SQ67040W40092A | ETC |
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TRANSISTOR LEISTUNGS MOSFET |
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| BUZ104 | INFINEON |
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SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Avalanche-rated d v/d t rated Low on-r |
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| BUZ104L | INFINEON |
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SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Avalanche-rated Logic Level d v/d t ra |
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| BUZ104S | INFINEON |
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SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancemen |
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| BUZ104SE3045 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 13.5A I(D) | TO-263AB |
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| BUZ104SE3045A | ETC |
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N-Channel Enhancement MOSFET |
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| BUZ104SL | INFINEON |
获取价格 |
SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancemen |
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| BUZ104SL4 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | ARRAY | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 3.2A I(D) | SO |
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