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BUZ102SLE3045

更新时间: 2024-01-01 13:00:23
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页数 文件大小 规格书
14页 603K
描述
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 47A I(D) | TO-263AB

BUZ102SLE3045 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Active零件包装代码:D2PAK
包装说明:PLASTIC, TO-263, 3 PIN针数:4
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.44
其他特性:LOGIC LEVEL COMPATIBLE, AVALANCHE RATED雪崩能效等级(Eas):245 mJ
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:55 V
最大漏极电流 (ID):47 A最大漏源导通电阻:0.024 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码:TO-263AB
JESD-30 代码:R-PSSO-G2JESD-609代码:e0
湿度敏感等级:NOT SPECIFIED元件数量:1
端子数量:2工作模式:ENHANCEMENT MODE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM):188 A
认证状态:COMMERCIAL表面贴装:YES
端子面层:TIN LEAD端子形式:GULL WING
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON

BUZ102SLE3045 数据手册

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