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BUZ103S

更新时间： 2024-09-24 22:27:59
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 123K
描述
SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Avalanche-rated dv/dt rated 175∑C operating temperature)

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BUZ103S 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-220AB包装说明：PLASTIC, TO-220, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.25
其他特性：AVALANCHE RATED雪崩能效等级（Eas）：140 mJ
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：55 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：31 A最大漏极电流 (ID)：31 A
最大漏源导通电阻：0.036 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：75 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：124 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

BUZ103S 数据手册

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BUZ 103 S  
SPP31N05  
®
SIPMOS Power Transistor  
• N channel  
• Enhancement mode  
• Avalanche-rated  
• dv/dt rated  
• 175°C operating temperature  
• also in SMD available  
Pin 1  
Pin 2  
Pin 3  
G
D
S
Type  
Package  
Ordering Code  
VDS  
ID  
RDS(on  
)
W
BUZ 103 S  
55 V  
31 A  
0.04  
TO-220 AB  
Q67040-S4009-A2  
Maximum Ratings  
Parameter  
Symbol  
Values  
Unit  
Continuous drain current  
I
A
D
T = 25 °C  
31  
22  
C
T = 100 °C  
C
Pulsed drain current  
I
Dpuls  
T = 25 °C  
124  
C
Avalanche energy, single pulse  
E
mJ  
AS  
W
I = 31 A, V = 25 V, R = 25  
D
DD  
GS  
L = 291 µH, T = 25 °C  
140  
31  
j
Avalanche current,limited by T  
I
A
jmax  
AR  
Avalanche energy,periodic limited by T  
E
7.5  
mJ  
jmax  
AR  
Reverse diode dv/dt  
dv/dt  
kV/µs  
I = 31 A, V = 40 V, di /dt = 200 A/µs  
S
DS  
F
T
= 175 °C  
6
jmax  
Gate source voltage  
Power dissipation  
V
±
20  
V
GS  
P
W
tot  
T = 25 °C  
75  
C
Semiconductor Group  
1
30/Jan/1998  
12345678

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BUZ103S4 ETC

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