5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | D2PAK | 包装说明： | PLASTIC, TO-263, 3 PIN |
| 针数： | 4 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.27 |
| 其他特性： | LOGIC LEVEL COMPATIBLE, AVALANCHE RATED | 雪崩能效等级（Eas）： | 245 mJ |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 55 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 47 A | 最大漏极电流 (ID)： | 47 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.024 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-263AB | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 120 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 188 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BUZ103 | INFINEON |
获取价格 |
SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Avalanche-rated d v/d t rated Low on-r |
|
| BUZ103AL | INFINEON |
获取价格 |
SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Avalanche-rated Logic Level d v/d t ra |
|
| BUZ103S | INFINEON |
获取价格 |
SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancemen |
|
| BUZ103S4 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | ARRAY | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 5.3A I(D) | SO |
|
| BUZ103S-4 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 5.3A I(D), 55V, 0.045ohm, 4-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| BUZ103SE3045 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 31A I(D) | TO-263AB |
|
| BUZ103SE3045A | ETC |
获取价格 |
N-Channel Enhancement MOSFET |
|
| BUZ103SL | INFINEON |
获取价格 |
SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Logic Level Avalanche-rated dv/dt rate |
|
| BUZ103SL | ROCHESTER |
获取价格 |
28A, 55V, 0.044ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, PLASTIC, TO-220, 3 PIN |
|
| BUZ103SL4 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | ARRAY | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 4.8A I(D) | SO |
|
SK海力士量产12层HBM3E，容量高达36GB
意法半导体传感器驱动Sphere，开启沉浸式电影新时代
摩尔斯微电子在美国约书亚树国家公园测试 Wi-Fi HaLow
贸泽上架Tallysman TW5386智能GNSS天线
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
