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BUZ102SE3045

更新时间： 2024-01-18 01:49:22
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 129K
描述
SIPMOS Power Transistor

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BUZ102SE3045 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：D2PAK包装说明：PLASTIC, TO-263, 3 PIN
针数：4Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.7
其他特性：AVALANCHE RATED雪崩能效等级（Eas）：245 mJ
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：55 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：52 A最大漏极电流 (ID)：52 A
最大漏源导通电阻：0.018 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-263ABJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：120 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：208 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

BUZ102SE3045 数据手册

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BUZ 102S  
SIPMOSPower Transistor  
Product Summary  
Features  
Drain source voltage  
55  
0.018  
52  
V
V
DS  
• N channel  
Drain-Source on-state resistance  
Continuous drain current  
R
Ω
•
Enhancement mode  
• Avalanche rated  
• d /d rated  
• 175 ˚C operating temperature  
DS(on)  
A
I
D
v
t
Pin 1 Pin 2 Pin 3  
Type  
Package  
Ordering Code  
Packaging  
G
D
S
BUZ102S  
P-TO220-3-1 Q67040-S4011-A2 Tube  
P-TO263-3-2 Q67040-S4011-A6 Tape and Reel  
P-TO263-3-2 Q67040-S4011-A5 Tube  
BUZ102S E3045A  
BUZ102S E3045  
Maximum Ratings, at  
T
= 25 ˚C unless unless specified  
j
Parameter  
Symbol  
Value  
Unit  
Continuous drain current  
A
I
D
T
= 25 ˚C  
52  
37  
C
T
= 100 ˚C  
C
Pulsed drain current  
= 25 ˚C  
208  
IDpulse  
T
C
Avalanche energy, single pulse  
= 52 A, = 25 V, = 25 Ω  
245  
mJ  
E
E
AS  
I
V
R
GS  
D
DD  
12  
6
Avalanche energy, periodic limited by  
Reverse diode d /d  
= 52 A, = 40 V, d  
T
jmax  
AR  
kV/µs  
v
t
d
v
/d  
t
I
V
i/d  
t
= 200 A/  
µ
s,  
S
DS  
T
= 175 ˚C  
jmax  
Gate source voltage  
Power dissipation  
V
V
P
20  
GS  
120  
W
tot  
T
= 25 ˚C  
C
Operating and storage temperature  
IEC climatic category; DIN IEC 68-1  
-55... +175  
55/175/56  
˚C  
T , T  
j stg  
Data Book  
1
05.99  
12345678

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与BUZ102SE3045相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BUZ102SE3045A INFINEON

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 		SIPMOS Power Transistor
BUZ102SL INFINEON

获取价格

 		SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Logic Level Avalanche-rated dv/dt rate
BUZ102SL4 ETC

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 		TRANSISTOR | MOSFET | ARRAY | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 6.2A I(D) | SO
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