5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > BUZ102S-4
BUZ102S-4 PDF预览

BUZ102S-4

更新时间： 2024-01-15 10:27:29
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 局域网开关脉冲光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 91K
描述
Power Field-Effect Transistor, 6.4A I(D), 55V, 0.028ohm, 4-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, PLASTIC, DSO-28

阅读下载

中文翻译

获取价格

BUZ102S-4 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：SOT
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G28针数：28
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.27
其他特性：AVALANCHE RATED雪崩能效等级（Eas）：245 mJ
配置：SEPARATE, 4 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：55 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：6.4 A最大漏极电流 (ID)：6.4 A
最大漏源导通电阻：0.028 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G28元件数量：4
端子数量：28工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：9.6 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：26.6 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

BUZ102S-4 数据手册

 浏览型号BUZ102S-4的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BUZ102S-4的Datasheet PDF文件第3页浏览型号BUZ102S-4的Datasheet PDF文件第4页浏览型号BUZ102S-4的Datasheet PDF文件第5页浏览型号BUZ102S-4的Datasheet PDF文件第6页浏览型号BUZ102S-4的Datasheet PDF文件第7页 
BUZ 102S-4  
Preliminary data  
®
SIPMOS Power Transistor  
• Quad-channel  
• Enhancement mode  
• Avalanche-rated  
• dv/dt rated  
Type  
V
I
R
DS(on)  
Package  
P-DSO-28  
Ordering Code  
C67078-S. . . . -A..  
DS  
D
BUZ 102S-4  
55 V  
6.4 A  
0.028 Ω  
Maximum Ratings  
Parameter  
Symbol  
Values  
6.4  
Unit  
Continuous drain current one channel active  
I
A
D
T = 25 °C  
A
Pulsed drain current one channel active  
I
Dpuls  
T = 25 °C  
25.6  
A
Avalanche energy, single pulse  
E
mJ  
AS  
Ω
I = 6.4 A, V = 25 V, R = 25  
D
DD  
GS  
L = 12 mH, T = 25 °C  
245  
j
Reverse diode dv/dt  
dv/dt  
kV/µs  
I = 6.4 A, V = 40 V, di /dt = 200 A/µs  
S
DS  
F
T
= 175 °C  
6
jmax  
Gate source voltage  
Power dissipation ,one channel active  
V
P
± 20  
V
GS  
W
tot  
T = 25 °C  
2.4  
A
Operating temperature  
T
-55 ... + 175 °C  
-55 ... + 175  
j
Storage temperature  
T
stg  
IEC climatic category, DIN IEC 68-1  
55 / 175 / 56  
Semiconductor Group  
1
07/Oct/1997  
12345678

中文翻译

下载PDF

与BUZ102S-4相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BUZ102SE3045 INFINEON

获取价格

 		SIPMOS Power Transistor
BUZ102SE3045A INFINEON

获取价格

 		SIPMOS Power Transistor
BUZ102SL INFINEON

获取价格

 		SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Logic Level Avalanche-rated dv/dt rate
BUZ102SL4 ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | MOSFET | ARRAY | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 6.2A I(D) | SO
BUZ102SL-4 INFINEON

获取价格

 		SIPMOS Power Transistor (Quad-channel Enhancement mode Logic level Avalanche-rated d v/d t
BUZ102SLE3045 ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 47A I(D) | TO-263AB
BUZ102SLE3045A INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 47A I(D), 55V, 0.024ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
BUZ103 INFINEON

获取价格

 		SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Avalanche-rated d v/d t rated Low on-r
BUZ103AL INFINEON

获取价格

 		SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Avalanche-rated Logic Level d v/d t ra
BUZ103S INFINEON

获取价格

 		SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancemen

与BUZ102S-4相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证